性能方面，UFS 4.0的每通道带宽速度增至23.2Gbps，是现时三星顶级手机使用的UFS 3.1两倍。基于三星的第七代V-NAND闪存和自研主控，实测连续读速可达4200MB/s、连续写速可达2800MB/s。
可做对比的是，目前业内性能最好的三星512GB UFS 3.1闪存晶片（2020年3月发布NOTE 20 ULTRA使用），标称连续读速最高2100MB/s，写速1200MB/s。这样换算的话，写入提升了1.3倍。
在提速的同时，单位功耗居然还低了。按照三星表示，每1mA电流可承载6MB/s的读速，比前一代提高46%，这意味着用户可以获得更长的电池续航时间。另外，UFS 4.0闪存晶片的封装尺寸只有11x13x1mm，最大容量1TB。
据悉，三星UFS 4.0闪存将于今年三季度投入量产，换言之，最快下半年应该就能见到相关手机问世，比如三星自家的Galaxy Z Fold 4、Z Flip 4以及明年的S23系列等。
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评论列表 （1条）
2022-05-19 00:01:41
是不是还可以？